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Microsemi Corporation APTC60DDAM35T3G
| Número da peça | APTC60DDAM35T3G |
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Pacote/Caso | - |
| Descrição | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 |
| Em estoque | Podemos enviar imediatamente |
| Preço unitário | Solicite um orçamento |
| Folha de dados | APTC60DDAM35T3G Folha de dados |
| Garantia | Novo e original |
| Categoria | produtos semicondutores discretos |
| Filtro | transistores - fets, mosfets - matrizes |
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APTC60DDAM35T3G Especificações
| Número da peça: | APTC60DDAM35T3G |
| Marca: | Microsemi Corporation |
| Vida útil: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoria: | produtos semicondutores discretos |
| Subcategoria: | transistores - fets, mosfets - matrizes |
| Fabricante: | Microsemi Corporation |
| Livre de halogênio: | Satisfy |
| Popularidade: | High popularity |
| Demanda de oferta: | Sufficient |
| Peças Alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
| status da peça: | Active |
| tipo de feto: | 2 N-Channel (Dual) |
| recurso Fet: | Standard |
| drenar para a tensão da fonte (vdss): | 600V |
| corrente - drenagem contínua (id) @ 25°c: | 72A |
| rds em (máx.) @ id, vgs: | 35 mOhm @ 72A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id: | 3.9V @ 5.4mA |
| carga do portão (qg) (máx.) @ vgs: | 518nC @ 10V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 14000pF @ 25V |
| potência - máx.: | 416W |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montagem: | Chassis Mount |
| pacote/caso: | SP3 |
| pacote de dispositivos do fornecedor: | SP3 |
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