Rohm Semiconductor RSS105N03FU6TB
Número da peça | RSS105N03FU6TB |
Fabricante | Rohm Semiconductor |
Pacote/Caso | - |
Descrição | MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC |
Em estoque | Podemos enviar imediatamente |
Preço unitário | Solicite um orçamento |
Folha de dados | RSS105N03FU6TB Folha de dados |
Garantia | Novo e original |
Categoria | produtos semicondutores discretos |
Filtro | transistores - fets, mosfets - únicos |
Consulta rápida
RSS105N03FU6TB Especificações
Número da peça: | RSS105N03FU6TB |
Marca: | Rohm Semiconductor |
Vida útil: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | produtos semicondutores discretos |
Subcategoria: | transistores - fets, mosfets - únicos |
Fabricante: | Rohm Semiconductor |
Livre de halogênio: | Satisfy |
Popularidade: | High popularity |
Demanda de oferta: | Sufficient |
Peças Alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
status da peça: | Obsolete |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
drenar para a tensão da fonte (vdss): | 30V |
corrente - drenagem contínua (id) @ 25°c: | 10.5A (Ta) |
tensão de acionamento (max rds ligado, min rds ligado): | 4V, 10V |
rds em (máx.) @ id, vgs: | 11.7 mOhm @ 10.5A, 10V |
vgs(th) (máx.) @ id: | 2.5V @ 1mA |
carga do portão (qg) (máx.) @ vgs: | 15nC @ 5V |
vgs (máx.): | 20V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 1130pF @ 10V |
recurso Fet: | - |
dissipação de energia (máx.): | 2W (Ta) |
Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
tipo de montagem: | Surface Mount |
pacote de dispositivos do fornecedor: | 8-SOP |
pacote/caso: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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