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Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BOMA1
| Número da peça | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Pacote/Caso | - |
| Descrição | MOSFET MODULE 1200V 50A |
| Em estoque | Podemos enviar imediatamente |
| Preço unitário | Solicite um orçamento |
| Folha de dados | DF11MR12W1M1B11BOMA1 Folha de dados |
| Garantia | Novo e original |
| Categoria | produtos semicondutores discretos |
| Filtro | transistores - fets, mosfets - matrizes |
Consulta rápida
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Especificações
| Número da peça: | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Vida útil: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Categoria: | produtos semicondutores discretos |
| Subcategoria: | transistores - fets, mosfets - matrizes |
| Fabricante: | Infineon Technologies |
| Livre de halogênio: | Satisfy |
| Popularidade: | High popularity |
| Demanda de oferta: | Sufficient |
| Peças Alternativas: | E-mail Us / Technical Support |
| status da peça: | Obsolete |
| tipo de feto: | 2 N-Channel (Dual) |
| recurso Fet: | Silicon Carbide (SiC) |
| drenar para a tensão da fonte (vdss): | 1200V (1.2kV) |
| corrente - drenagem contínua (id) @ 25°c: | 50A |
| rds em (máx.) @ id, vgs: | 23 mOhm @ 50A, 15V |
| vgs(th) (máx.) @ id: | 5.5V @ 20mA |
| carga do portão (qg) (máx.) @ vgs: | 125nC @ 5V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 3950pF @ 800V |
| potência - máx.: | 20mW |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montagem: | Chassis Mount |
| pacote/caso: | Module |
| pacote de dispositivos do fornecedor: | Module |
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